TSMC, 1.4나노·휴머노이드 청사진 15일 포럼서 공개

대만 TSMC. 연합뉴스

세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체 대만 TSMC가 1.4㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정 및 휴머노이드 등과 관련한 미래 청사진을 오는 15일 공개할 예정이라고 중국시보 등 대만언론이 13일 소식통을 인용해 보도했다.

대만 언론은 TSMC가 오는 15일 대만 타이베이 근교 신주 지역에서 기술 포럼을 개최할 예정이라면서 이같이 밝혔다. 언론들은 TSMC가 이번 포럼에서 고성능 컴퓨팅(HPC)과 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 및 자동차 플랫폼 설루션 방안, 첨단 패키징 SoW(System on Wafer)-X, 휴머노이드 관련 시청각 반도체 등에 초점을 맞출 예정이라고 전했다. 초저전력과 임베디드 메모리, 센서 기술, 실리콘 포토닉스 등의 분야에 대한 TSMC의 기술혁신 등도 포함될 예정이다.

TSMC는 3D 패브릭 최신 실리콘 스태킹과 패키징 기술을 SoIC(System On Intergrated Chips)와 InFO(Integrated Fan-Out), 칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트(CoWoS), SoW에서 선보일 예정이라고 밝혔다.

아울러 대만 언론들은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 15일 대만에서 TSMC 고위 관계자와 만날 예정이라고 보도했다. 또한 황 CEO는 17일 대만 공급망 고위 관계자와 만찬을 하고, 19일에는 아시아 최대 정보통신(IT) 박람회 '컴퓨텍스'에 참석해 기조연설을 한다. 21일에는 전 세계 미디어 대상 간담회에서 대만 내 미국 본사에 맞먹는 규모의 해외 지사 본부 설립 장소를 밝힐 예정이라고 대만 언론들은 전했다.

한편, 장샤오창 TSMC 사업개발 수석 부사장은 지난달 미국에서 2028년부터 1.4㎚ 기술을 적용한 반도체 생산을 시작할 계획이라고 밝힌 바 있다. 당시 TSMC는 SoW-X가 CoWoS 기술을 기반으로 확장해, 동일 패키지 내에 12개 이상의 고대역폭메모리(HBM)를 통합, 단일 전자회로기판(PCB) 보드에서 더욱 강력한 성능을 갖출 것으로 예상했다. 이규화기자 david@dt.co.kr