국가 핵심기술에 해당하는 반도체 공정 정보 등을 중국 회사에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 엔지니어가 재판에 넘겨졌다.
2일 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 삼성전자 엔지니어 출신 전모(55)씨를 구속기소 했다고 밝혔다.
검찰에 따르면 전씨는 삼성전자에서 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 후 삼성전자가 1조6000억원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 정보를 무단 유출해 사용한 혐의를 받는다. CXMT는 중국지방정부가 2조6000억원을 들여 세운 중국 최초의 D램 반도체 회사다.
앞서 이 사건 주범인 전직 삼성전자 부장 김모씨도 삼성전자 D램 공정기술을 무단 유출한 혐의로 지난 2월 1심 재판에서 징역 7년을 선고받고 법정 구속됐다. 전씨 혐의는 검찰이 김씨 혐의를 수사하던 중 발견했다.
전씨는 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자 공정기술을 빼돌리고, 핵심인력 영입을 통해 CWMT D램 반도체 개발계획을 수립하는 등 범행에 핵심 역할을 한 것으로 검찰은 보고 있다.
검찰 측은 “삼성전자 자료를 유출한 또 다른 공범도 인터폴을 통해 추적 중”이라며 “피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다”고 했다.
