中 저가 공세에… 삼성·SK하이닉스, 구형 D램 접고 ‘고사양’ 집중

DDR4 등 구형 D램 단계적 중단
첨단 DDR5·HBM3E 제품 늘려
수익성 높은 비즈니스 모델 전환

글로벌 주요 반도체 업체들이 중국 업체의 저가 공세로 수익성이 악화한 구형 D램 생산에서 점차 손을 떼고, 고사양·고용량 첨단 제품으로의 전환을 가속화한다.

27일 업계에 따르면 삼성전자는 PC와 모바일에 탑재되는 구형 D램 DDR4에 이어 3세대 고대역폭메모리 ‘HBM2E’ 제품도 단계적으로 생산을 중단하고 5세대 ‘HBM3E’와 6세대 ‘HBM4’에 집중할 것으로 알려졌다. 미국 마이크론은 이미 지난해부터 DDR4 제품들을 단계적으로 단종해 왔으며, 최근에는 서버용 구형 DDR4 모듈 생산 중단 계획을 고객사에 알렸다. SK하이닉스도 DDR4 생산량을 줄이고 있다.

현재 가장 대표적인 최신 D램은 DDR5와 HBM3E다. DDR5는 PC와 데이터센터에 공급되는 서버용 중앙처리장치(CPU)에 탑재되며, HBM은 엔비디아, AMD 등이 만드는 인공지능(AI) 가속기에 탑재된다.

삼성전자는 기존 D램 생산 라인을 DDR5 등 고사양 제품 생산 라인으로 바꾸는 작업을 진행 중인 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 1월 실적 발표 콘퍼런스콜에서 기존 D램 매출의 30%를 차지하던 레거시 D램과 낸드플래시의 비중을 한 자릿수로 대폭 줄이면서 “HBM, DDR5, LPDDR5 그리고 GDDR7 같은 고부가가치 제품 비중을 적극 늘리고 있다”고 밝혔다.

SK하이닉스도 지난해 10월 “DDR4와 LPDDR4 생산을 계획보다 빨리 축소하고 대신 HBM과 DDR5, LPDDR5의 생산을 확대하는 데 필요한 선단 공정의 전환을 앞당길 계획”이라고 밝혔다.

국내 메모리 업체들이 구형 D램 생산을 접고 서둘러 고사양 제품으로 전환하려는 것은 더는 현재의 비즈니스 모델로 수익을 내기 어려워졌기 때문이다. 구형 D램은 중국 업체의 물량 공세로 수익성이 악화한 데다 중국의 창신메모리(CXMT)가 DDR4 생산을 더 늘리고 있어 향후에도 하락세가 지속될 가능성이 크다. 다만 SK하이닉스가 HBM 시장의 우위를 점한 상황에서 삼성전자는 HBM 최대 고객사인 엔비디아로부터 품질 테스트 통과하는 것이 선결 과제로 꼽힌다.

신융아 기자