시지트로닉스-엘앤디전자, GaN 반도체 사업화 협력 업무협약 체결

시지트로닉스는 엘앤디전자와 24일 질화갈륨(GaN) 반도체의 개발 및 사업에 대한 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다.

시지트로닉스(대표 심규환)는 엘앤디전자와 24일 질화갈륨(GaN) 반도체의 개발 및 사업에 대한 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다.

시지트로닉스는 팹(M-FAB)을 보유해 반도체 소자의 제조를 담당하고, 엘앤디전자는 고온 질화 알류미늄(AlN) 기반의 GaN 에피기판 제조를 담당한다. 양사는 사업의 전개와 신시장의 개척에 상호협력하기로 했다. 엘앤디전자는 고온 AlN 에피층을 1200℃ 이상에서 성장하는 유기화학증착(MOCVD) 장치기술과 직경 4인치 기판의 에피성장기술에 대해 고유의 지식재산(IP)을 확보해 유용한 성능으로 확인했다.

6인치 기판의 사업화를 위해 시지트로닉스의 M-FAB에서 GaN 전력 및 고주파(RF) 소자를 제작해 에피기판의 구조에 대한 미세조정을 하고, 소자수준의 성능과 신뢰성에 대한 평가를 진행할 계획이다.

두 회사는 2026년에 6인치 에피성장기술과 소자제작기술을 완비하고 GaN 제품을 생산하는 단계까지 끌어올린다는 계획이다.

질화갈륨 반도체.

지난해 시장조사기관인 욜(Yole)의 분석에 따르면 GaN 반도체의 세계시장규모는 연간 26%대로 성장해 2029년 전력분야가 3조5000억원, RF분야가 2조8000억원으로 총합 6조3000억원에 이를 것으로 예측된다.

김광희 엘앤디전자 대표는 “4인치 GaN 기술분야에 대해서 미국과 일본 등이 앞서 있었지만, 국내에 6인치 GaN 에피기술이 내재화된다면 빠르게 세계적 탑티어로 도약이 가능하다”며 “공급체인에 있어서 가장 핵심인 에피와 소자 기술을 지닌 양사가 긴밀히 협력한다면 당연히 최고의 시너지 성과를 예상할 수 있다”고 말했다.

GaN 반도체는 고성능 라이다나 레이더에 가장 중요한 부품으로서 자율주행 자동차와 국방산업의 경쟁력 강화에 필수다.

조덕호 시지트로닉스 연구소장(전무)는 “GaN 양산화에 고품위 에피기판의 안정한 수급이 약점이었는데, 엘앤디전자가 고온 AlN-on-GaN이라는 독보적 기술을 축적해왔다”며 “GaN 소재의 기틀이 마련되면 완전체 국산화가 달성될 것으로 기대한다”고 강조했다.

한편, 시지트로닉스는 전력, RF, 광 센서, 정전기(ESD) 분야의 특화반도체와 파운드리 공정서비스를 제공한다. 생산제품의 응용분야가 K-방산, 조명, 디스플레이, 스마트 웨어러블, 로봇 등 민수와 산업용으로 폭이 넓고 미래 성장성도 크다. 국책연구기관인 한국전자통신연구원(ETRI)의 전력, 알에프(RF), 센서 분야에 대한 기술이전 프로그램으로 고난이도 첨단 반도체의 사업화를 적극 추진해 산·연협력의 성공적 사례를 만들고 있다.

완주=김한식 기자 hskim@etnews.com