DB하이텍, 12인치 파운드리 '55나노 전력반도체' 추진

조기석 DB하이텍 대표는 20일 경기도 부천시 본사에서 열린 제72기 정기주주총회를 진행하고 있다.

DB하이텍이 12인치 반도체 위탁생산(파운드리) 진출을 추진하면서 공정노드에 55나노미터(㎚)를 추가한다.

조기석 DB하이텍 대표는 20일 경기도 부천시 본사에서 열린 제72기 정기주주총회에서 “회사의 강점은 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 전력반도체이기에 12인치 파운드리 공정노드로 130나노, 90나노뿐 아니라 55나노 BCD 개발을 진행할 것”이라고 말했다.

DB하이텍은 2023년 12인치 사업 진출 계획을 밝힌 데 이어 구체적 공정노드를 공개한 건 이번이 처음이다.

DB하이텍은 8인치 파운드리 업체로 90~350나노 공정노드를 제공하고 있다. BCD는 고전압 및 전력 관리에 적합한 공정으로 DB하이텍은 이를 기반으로 전력반도체를 만들고 있다. 사용처는 가전, 컴퓨터, 스마트폰, 웨어러블, 자동차 등이다.

회사는 12인치 사업 진출을 위해 올해부터 5년간 2조5000억원을 투자한다. 기존 공정노드를 12인치로 전환할 뿐 아니라 55나노로 미세공정 기술 수준도 높인다. 조 대표는 “12인치 투자에 대해 정부와 깊이 있게 논의하고 있다”고 전했다.

질화갈륨(GaN)·탄화규소(SiC) 화합물반도체 시생산 라인 구축은 지난해 완료했다. GaN 샘플은 다음달 제작을 앞두고 있다. 조 대표는 “GaN은 올해 초기 사업에 착수할 예정으로, SiC는 2026년 말 또는 2027년 사업화할 수 있을 것으로 예상한다”고 말했다.

파운드리 사업 실적은 업황 회복 흐름에 따라 개선을 예상했다. 생산라인 가동률은 지난해 75%를 기록한 데 이어 올해 예상치로 80% 중후반을 제시했다. 매출은 10% 성장, 영업이익률은 20%대 회복을 전망했다.

박진형 기자 jin@etnews.com