SK하이닉스, 용인 클러스터 1기 팹 첫 삽…2027년 5월 준공 목표

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. SK하이닉스는 이곳을 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획이다 SK하이닉스 뉴스룸 캡처

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 반도체 사업의 핵심 거점으로 삼을 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다. 2019년 약 120조원을 투자해 공장 4개를 짓겠다는 사업 계획을 밝힌 지 6년 만이다.

SK하이닉스는 지난 24일부터 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다. 애초 다음 달부터 착공할 계획이었으나 용인시가 예정보다 빠른 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당기게 됐다. 용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺은 데 이어 인허가 절차에 속도를 내왔다. 용인 반도체 클러스터 사업은 2019년 시작됐지만 그동안 각종 규제와 지역 주민 반발, 토지 보상 등 문제로 순탄치 않았다.

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 지난해 7월 용인 클러스터의 1기 팹과 업무시설 건설에 약 9조 4000억원을 투자하기로 했다. SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 2050년까지 순차적으로 조성한다는 계획이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다. SK하이닉스는 이곳을 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응하고 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획이다.

또한 SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 협력사들은 실제 생산 현장과 유사한 환경을 갖춘 연구시설인 미니팹을 통해 자체 기술 완성도를 높일 수 있을 것으로 보인다. SK하이닉스 관계자는 “클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정”이라고 설명했다.

이범수 기자