SK하이닉스 '10나노 6세대 D램' 다음달 세계 첫 양산

차선용 부사장 "매스퀄 통과"
HBM 이어 단일 D램서 '우뚝'
삼성·마이크론과 격차 벌려

[서울경제]

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) D램을 2월 세계에서 처음으로 양산한다. 고대역폭메모리(HBM)뿐만 아니라 단일 D램 제품에서도 경쟁사보다 빠르게 최첨단 D램 양산 체제에 돌입하고 있는 모습이 눈에 띈다.

17일 업계에 따르면 SK하이닉스에서 미래기술원장을 맡고 있는 차선용 부사장은 15일 임직원 소통 행사에서 “10나노급 6세대 D램에 관한 매스퀄이 14일 났다”고 밝혔다.

매스퀄은 양산 인증을 뜻한다. 회사 내 일부 생산라인에서 만든 10나노급 6세대 D램의 품질과 수율이 본격적인 양산을 할 수 있을 만한 수준으로 올라왔다는 뜻이다. SK하이닉스는 2월 초부터 10나노급 6세대 D램을 본격적으로 양산할 것으로 전망된다.

D램은 컴퓨터 안에서 정보를 빠르게 기억하고 처리하는 반도체 칩이다. 10나노급 6세대는 현존하는 D램 공정 가운데 가장 최신 기술이다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계에서 처음으로 10나노급 6세대 D램 개발을 완료했다. SK하이닉스는 10나노급 5세대 D램의 설계 플랫폼을 확장하는 방식으로 6세대 제품 개발 시기를 앞당겼다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 10나노급 6세대 DDR5의 동작 속도는 초당 8Gb(기가비트)로 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

원가 경쟁력도 확보했다. SK하이닉스는 미세 공정에 활용되는 극자외선(EUV) 노광에서 신소재를 적용해 공정을 최적화했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대 제품보다 생산성을 30% 이상 향상시켰다. 이번 제품 개발로 경쟁사인 삼성전자, 미국 마이크론테크놀로지와 기술 격차를 벌렸다는 평가가 나온다.

SK하이닉스는 D램 분야에서 경쟁력을 더욱 강화하고 있다. SK하이닉스는 인공지능(AI) 시장에서 크게 각광 받고 있는 HBM 분야에서도 세계 AI 반도체 1위 회사인 엔비디아와의 공고한 협력으로 독보적인 선두를 달리고 있다. 업계에서는 올해 양산이 진행되는 6세대 HBM(HBM4) 제품도 SK하이닉스가 가장 먼저 개발할 것이라고 기대하고 있다. 올해 브로드컴 등 세계적인 반도체 회사들의 HBM 주문이 빗발치면서 SK하이닉스는 HBM용 D램 라인 증설에 상당히 적극적으로 나서는 상황이다. 세계 최대 파운드리 회사인 TSMC와 협력한 HBM용 베이스 다이도 연내 첫 공개한다.

또 연초 SK하이닉스가 양산에 들어가는 10나노급 6세대 D램은 7세대 HBM(HBM4E)에 적용될 것으로 예상된다. SK하이닉스 측은 10나노급 6세대 D램의 양산 시기와 관련해 “확인해 줄 수 없다”고 밝혔다.

강해령 기자 hr@sedaily.com