[단독]SK하이닉스, 2월 10나노급 6세대 D램 세계 최초 양산

SK하이닉스 이천 M16 전경/사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 D램을 오는 2월 세계 최초로 양산한다. 지난해 8월 1c를 적용한 16Gb(기가비트) DDR5(더블데이터레이트5) D램을 세계 최초로 개발한 이후 양산까지 세계 최초 타이틀을 유지하게 됐다.

17일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 1c DDR5에 대한 양산인증(MS Qual, Mass product qualification)을 마무리했다. 매스 퀄이라고도 불리는 양산 인증은 연속된 몇 개의 랏(생산 기본 단위, 1랏이 웨이퍼 25장) 결과가 모두 품질과 수율을 만족해 본격 양산을 할 수 있는 상태일 때 내려진다.

차선용 SK하이닉스 미래기술원장(CTO, 부사장)은 지난 15일 타운홀미팅인 R&D story talk행사에서 "14일 매스퀄이 났다"고 말했다. 개발 부서에서 제조 부서로 1c DDR5 관리를 이관하는 프로세스를 마무리하면, 정식 양산은 2월 초부터 시작될 것으로 전망된다.

SK하이닉스가 업계 최선단 공정인 10나노급 6세대 D램 개발과 양산 모두 경쟁사인 삼성전자와 마이크론보다 앞서나가면서 D램 1위 기업 지위를 공고히하게 됐다. 삼성전자와 마이크론 모두 10나노급 6세대 D램 개발도 전이다.

개발부터 양산까지 최소 6개월정도가 소요된다는 것을 감안하면, 경쟁사들이 지금 당장 10나노급 6세대 D램을 개발해도, 하이닉스보다 6개월 이상 뒤처진다. 반도체 업계는 과거 후발주자였던 SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 때부터 삼성전자와 동등 개발, 10나노급 5세대(1b)부턴 삼성전자를 제친 것으로 본다.

반도체 업계는 10나노급에 들어서며 D램 기술 난이도가 높아지자 선폭을 구체적 숫자대신 알파벳 기호나 세대로 호칭하고 있다. 10나노급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발 중이다. 세대가 높아질수록 선폭이 좁아지는데, 선폭이 좁을수록 웨이퍼 한 장에서 나오는 D램 생산량이 늘어난다. 1c에 가까울수록 공정 난이도가 기하급수적으로 높아진다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 시행착오를 줄이는 동시에 1b의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨오기 위한 플랫폼 전략이다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E에 1c 기술을 적용할 계획이다.

한지연 기자 vividhan@mt.co.kr