에이치브이엠, 美나스닥 Praxair와 유리기판 타겟팅 기술 공동 개발

에이치브이엠 CI. 에이치브이엠 제공

[파이낸셜뉴스] 에이치브이엠이 미국 나스닥 프랙스에어(Praxair)와 유리기판 타겟팅으로 공동으로 기술을 개발하고 있다.

17일 에이치브이엠은 고객사 프랙스에어와의 공동 연구개발을 통해 '퓨어(Pure) Ta 스퍼터링 타겟'을 제조하고 반도체 시장으로의 진입을 목표로 하고 있다고 밝혔다.

프렉스에어는 2006년 독일 기업 린드와 합병해 현재 글로벌 산업가스 및 엔지니어링 회사로 나스닥에 상장돼 있다. 에이치브이엠은 린드의 자회사 린드 에이엠티 코리아와 거래 중이다.

스퍼터링 타겟으로 활용되는 '퓨어 Ta'는 높은 수준의 순도를 가져야하므로, 전자빔용해(EBCHM)와 진공아크재용해(VAR)를 이용한 용해를 통해 제조된다. 현재 Ta 합금 시장은 전 세계적으로 소수의 기업이 독점하고 있는 상태다.

스퍼터링은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종이다. 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속해 타겟에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 막을 만드는 방법이다.

스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)으로 하고 기판쪽을 양극(Anode)으로 한다. 스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터 혹은 스퍼터링 시스템이라 한다.

스퍼터링 방식은 증류법보다 증착 능력, 복잡한 합금을 유지하는 능력이 뛰어나고 고온에서 내열성 금속의 증착 능력이 뛰어난 특징이 있다. 스퍼터링 공정의 수율은 충돌 이온의 입사각, 타겟 물질의 조성과 결합구조, 충돌 이온의 종류, 충돌 이온의 에너지 등으로 결정된다.

회사 측은 "우리는 고객사(Praxair)와의 공동 연구개발을 통해 퓨어 Ta 스퍼터링 타겟을 제조하고 반도체 시장으로 진입할 것"이라며 "스퍼터링 타겟으로 활용되는 퓨어 Ta는 높은 수준의 순도를 가져야하기 때문에 전자빔용해와 진공아크재용해를 이용한 용해를 통해 제조된다"고 설명했다.

이어 "고용점 합금 원소인 탄탈륨은 우수한 내열, 내마모성, 내부식성을 가지는 특성이 있는 소재로 Ta 타겟은 HDD, 반도체 메모리(RAM, MRAM, FeRAM), 헤드(MR, TMR) 및 캐패시터(Capacitor) 등에 사용된다"며 "반도체 칩 내의 소자(트랜지스터, 축전지, 저항, 다이오드 등)를 구동하기 위한 주 배선은 'Al' 또는 'Cu'로 구성돼 있으며 'Ta' 또는 'TaN' 등은 주 배선의 확산 방지 역할을 한다"고 전했다.

또 "Ta과 TaN은 융점이 높고 고온에서 'Cu'와 반응을 잘 일으키지 않아 열역학적으로 안정하기 때문에 기판과 Cu을 막아주는 확산방지막으로 가장 우수한 특징을 가지고 있다"고 덧붙였다.

dschoi@fnnews.com 최두선 기자