‘HBM 1등’ 만든 기술 혁신…최우진 SK하이닉스 부사장, 동탑산업훈장 수상
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최우진 SK하이닉스 P&T(패키징&테스트)담당 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다.
최 부사장은 ▷HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▷소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▷제조/기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받았다.
TSV, MR-MUF 등 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심으로 꼽힌다.
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HBM 1등 위상 얻는데 핵심 역할
위기를 ‘기회’로 만든 생산성 혁신 인정
[헤럴드경제=김민지 기자] 최우진 SK하이닉스 P&T(패키징&테스트)담당 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다.
최 부사장은 ▷HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▷소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▷제조/기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받았다.
P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後)공정에 해당하는 패키징과 테스트를 담당한다. 팹(생산라인)에서 전(前)공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트해 신뢰성까지 확보하는 역할을 한다.
TSV, MR-MUF 등 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심으로 꼽힌다. 최 부사장은 HBM 패키징 기술 개발 및 양산을 책임지며, 회사가 HBM 1등 위상을 얻는 데 중요한 역할을 수행했다.
지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했다. 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또한, MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다는 평가다.
그는 역대 HBM 개발 및 양산 과정에서 가장 중요한 것으로 ‘타임 투 마켓(TTM, Time to Market)’을 꼽았다. 시장 상황에 기민하게 대처할 수 있는 기술을 준비해야 한다는 설명이다.
그는 “급속하게 변하는 AI 시대 반도체 산업에서 시장 상황과 고객의 요구를 빠르게 파악해 대응하는 것은 기본” 이라며 “무엇보다 이를 뒷받침할 수 있는 기술력을 꾸준히 준비하는 것이 중요하다”고 강조했다.
최 부사장은 반도체 시장이 다운턴에 접어든 후인 2023년부터 다운턴 TF(태스크포스) 조직에 합류했다. 수익성이 높은 프리미엄 제품군의 생산을 확대하고 원가 절감을 위해 운영 방식 전환을 추진, 공정 효율을 개선했다. 또, 단기적인 실적 개선에 집중하기보다는 체계적인 목표 설정과 회의체 관리를 통해 성과의 지속가능성을 높이고자 했다. 탑다운 방식을 지양하고 현장 구성원들과 함께 실무 중심의 논의와 실행을 이어갔다.
지난해부터 AI 메모리 수요가 갑작스럽게 늘어나 기존 대비 2배 이상의 추가 물량 공급이 필요한 상황에서는 기존에 없던 방법을 새롭게 고안해 냈다. 공정 간 생산을 연계해 조정, 추가 투자 없이 제품을 증산하는 데 성공한 것이다. 이는 SK하이닉스가 AI 메모리 시장에서 승기를 잡는 데 결정적인 역할을 했다.
최 부사장은 “‘기술’과 ‘품질’이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘한다면 위기가 다시 닥쳐와도 우리는 그것을 또 다른 ‘기회’로 만들 수 있을 것”이라고 밝혔다.
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