로옴, xEV 시스템 고전압화에 대응하는 'SiC 쇼트키 배리어 다이오드' 개발

SiC 쇼트키 배리어 다이오드(제공:로옴)

로옴(ROHM) 주식회사(이하 로옴)가 단자 간의 연면 거리를 연장하여 절연 내성을 향상시킨 표면 실장 타입 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD)를 개발했다고 12일 밝혔다.

최근 보급이 가속화되는 xEV에 탑재되는 OBC 등에는 파워 반도체가 꼭 필요하기 때문에 발열이 적고 고속 스위칭 성능과 고내압 성능을 겸비한 SiC SBD의 수요가 높아지고 있다. 특히 어플리케이션의 생산성 향상을 위해 마운터로 실장 가능한 소형 표면 실장(SMD) 패키지 제품에 대한 요구가 가속화되고 있다.

로옴은 SiC의 리딩 컴퍼니로서 고전압 어플리케이션에 대응 가능한 내압 성능과 높은 실장성을 겸비한 고성능 SiC SBD의 개발을 전개해왔다. 그리고 이번에 독자적인 패키지 형상을 채용함으로써 최소 5.1mm의 연면 거리를 확보하여 높은 절연 성능을 구비한 신제품을 개발했다.

신제품은 기존 패키지의 하부에 배치된 센터 핀을 제거하고 독자적인 형상을 채용한 로옴 오리지널 패키지를 채용하여 연면 거리를 일반품의 약 1.3배에 해당하는 최소 5.1mm로 연장했다. 또한 연면 거리를 길게 확보함으로써 단자 간의 트래킹(연면 방전)을 억제할 수 있어 고전압 어플리케이션에서 기판에 디바이스를 표면 실장할 때 수지 포팅을 통한 절연 처리가 필요없다.

SBD 라인업(제공:로옴)

아울러 내압은 650V와 1200V의 2종류를 구비하여 xEV(전동차)에서 널리 활용되는 400V 시스템뿐만 아니라 향후 채용 확대가 예상되는 고전압의 시스템에도 사용할 수 있다. 더불어 TO-263 패키지의 일반품 및 기존품과 공통된 랜드 패턴으로 실장할 수 있어 기존의 회로 기판에 대한 대체 사용이 가능하다.

로옴 관계자는 “앞으로도 로옴은 SiC를 사용한 고내압 SBD의 개발을 추진하여 시장 니즈에 최적인 파워 디바이스의 제공을 통해 자동차 및 산업기기의 저전력화와 고효율화에 기여해 나갈 것”이라고 전했다.

한편 신제품은 지난 9월부터 샘플 출하를 개시했으며 현재 온라인 부품 유통 사이트에서 구입 가능하다.

구교현 기자 kyo@etnews.com