주성엔지니어링, 반도체 원자층 증착장비 출하

반도체 前공정 원자두께 박막처리제품 초소형화로 DTC시장 선점

주성엔지니어링이 지난달 17일 DTC 실리콘 캐패시터 생산용 원자층증착 장비를 출하했다.

주성엔지니어링이 최근 'DTC(Deep Trench Capacitor) 실리콘 커패시터'를 만드는 데 필요한 원자층 증착(ALD) 장비를 엘스페스에 출하했다. 엘스페스는 세계 시장을 대상으로 하는 실리콘 커패시터 전문 기업이다.

커패시터는 반도체 내에서 전압·전류를 일정하게 공급하는 기능을 한다. DTC 실리콘 커패시터는 유전율이 높은 화합물(High-k)로 만들고 실리콘 웨이퍼를 참호(trench)처럼 깊게 파 지하 층을 내 집접도를 높인 커패시터다.

DTC 실리콘 커패시터가 주목받는 이유는 고온·고주파 환경에서도 안정적으로 전압·전류 공급이 가능하고 제품 초소형화에도 유리하기 때문이다. 현재 반도체 업계는 고성능 반도체를 구현하기 위해 공정 미세화를 통해 한정된 면적 안에 수백억 개의 트랜지스터를 집적하고 있다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 증가함과 동시에 반도체 집적도가 높아지면서 발열, 누설 전류, 노이즈 등 새로운 문제들이 발생하고 있다.

DTC 실리콘 커패시터는 기존 적층세라믹커패시터(MLCC)와 비교해 고온·고주파 환경에서도 안정적으로 전자 방해 없이 전압과 전류를 공급할 수 있다. 또 MLCC는 최대 수백 층으로 이뤄져 제품 높이를 낮추는 데 한계가 있고, 대역폭이 커질수록 더 많은 개수를 필요로 한다. 이에 비해 실리콘 커패시터는 단 1개로 이를 대체할 수 있다. 초소형 제품을 만드는 데 유리한 셈이다.

주성엔지니어링이 출하한 ALD 장비는 이 같은 DTC 실리콘 커패시터에 원자 정도의 두께로 박막층을 한 층, 한 층 형성해 가며 표면 처리를 하는 장치다. 이런 실리콘 커패시터의 성능 향상을 위해서는 유전율이 높은 층을 가로 대비 세로 길이가 높은 구조물에 얇게 겹겹이 증착하는 것이 중요하다. 주성엔지니어링은 세계 최초로 ALD 기술을 DTC 실리콘 커패시터에 접목했다. 주성엔지니어링은 이를 기점으로 지속적인 혁신 기술 개발을 통해 차세대 DTC 초기 시장을 선점하고, 글로벌 고객사를 확보해 나갈 방침이다.

주성엔지니어링 관계자는 "이번 DTC 실리콘 커패시터 ALD 장비를 출하하게 된 것은 그동안 축적된 주성의 혁신과 고객의 신뢰로 이루어진 결과"라며 "앞으로도 차세대 반도체 초기 시장을 선점해 지속성장의 기반을 다질 것"이라고 말했다.

[이윤식 기자]