“中 영향에 내년 범용 D램 가격 하락…HBM3E는 내년에도 부족”

SK하이닉스가 지난달 '제26회 반도체대전'에서 공개한 HBM3E 12단 제품 모형도.

중국 메모리 업체의 D램 비트 출하량 확대로 내년 범용 반도체 가격이 하락할 수 있다는 전망이 나왔다. 다만 고대역폭메모리(HBM) 공급 부족은 내년에도 이어질 것으로 보인다.

10일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 내년 D램 비트 출하량은 올해보다 25% 증가할 전망이다. 이는 올해 D램 비트 출하량 증가율 전망치(17%)보다 8%포인트(p) 높은 수치다.

. D램 비트 출하량이 높아지는 것은 중국 업체의 공급이 확대됐기 때문이다. 창신메모리(CXMT)는 중국 정부의 보조금 정책에 힘입어 공격적으로 생산능력을 늘려왔다. 트렌드포스는 중국 기업의 D램 공급량 확대로 가격 하락 압력이 가해질 수 있다고 예상했다.

트렌드포스는 "4분기부터 내년까지 D램 비트 공급량이 증가할 것"이라며 "수요가 저조하면 가격 하락 압력을 받을 수 있다"고 전망했다.

중국 기업의 공급과 HBM을 제외하면 3대 메모리 기업의 D램 비트 생산량 증가 폭은 전년대비 15%에 그칠 것으로 예상된다. 이는 평년대비 낮은 수준이다.

이에 트렌드포스는 SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론 등 글로벌 3대 메모리 기업이 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 D램 공급 확보에 집중할 것으로 전망했다. 특히 SK하이닉스는 내년 HBM용 D램 생산능력을 40% 끌어올릴 계획인 것으로 알려졌다.

트렌드포스는 "AI 수요로 인해 HBM은 D램 산업의 중요한 성장 엔진으로 부상했다"며 "특히 HBM3E(5세대) 공급은 내년에도 부족할 것"이라고 전했다. 박순원기자 ssun@dt.co.kr