위기도, 기회도 있는 내년 D램 시장…中·HBM이 공급확대 주도

트렌드포스 "D램 출하량 25%↑…中 공급에 가격하락 압력"
SK·삼성, 선단공정 전환 앞당겨 …"HBM 공급 여전히 빡빡"

4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 SK AI SUMMIT 2024에 SK하이닉스의 고대역폭메모리 ‘HBM3E’가 전시돼 있다. 2024.11.4/뉴스1 ⓒ News1 이재명 기자

(서울=뉴스1) 박주평 기자 = 내년 글로벌 D램 비트 출하량이 중국 기업들의 범용 D램과 고대역폭메모리(HBM) 공급 확대에 따라 올해보다 25% 증가할 것이라는 전망이 나왔다.

중국 기업들의 공급 확대는 범용 제품의 가격 하락 압력을 높일 수 있지만, 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 수익성이 높고 수요도 견조한 HBM의 생산 비중을 높이는 점은 기회 요인으로 작용할 전망이다.

7일 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 D램 업체들이 생산능력 확대를 계획하고 있어 내년 D램 비트 출하량은 올해보다 25% 증가할 전망이다. 이는 올해 D램 비트 출하량 증가율 전망치(17%)보다 8%포인트(p) 높은 수치다.

트렌드포스는 주요 원인으로 중국 업체들의 공급 확대를 꼽았다. 중국 창신메모리(CXMT)는 지난 2016년 설립 이후 자국산 메모리를 사용하는 업체들에 대한 중국 정부의 보조금 정책에 힘입어 공격적으로 생산능력을 늘려왔다.

노무라증권은 CXMT의 웨이퍼 생산능력이 올해 연말 업계 전체의 11% 수준인 월 20만 장, 내년에는 30만 장 수준까지 늘어날 것으로 추정한 바 있다.

트렌드포스는 "중국 공급업체를 제외하면 전체 D램 비트 출하량은 21% 증가할 것"이라며 "중국 기업의 생산량 대부분이 주로 국내 기업에 제공되고, 해외 시장으로 향하는 공급은 최소화할 것"이라고 했다.

트렌드포스는 내년 중국 기업들의 D램 공급량 확대로 가격 하락 압력이 가해질 수 있다고 경고했다. 이미 삼성전자와 SK하이닉스는 수익성이 악화하는 범용 메모리 공정을 HBM이나 DDR(더블데이터레이트)5 및 LP(저전력)DDR5 등 선단 제품 공정으로 전환하는 작업을 앞당기고 있다.

트렌드포스도 중국 D램 공급 확대와 더불어 HBM을 내년 D램 출하량 증가 요인으로 언급했다. 트렌드포스는 "HBM은 급증하는 AI 수요 덕분에 D램 산업의 중요한 성장 엔진으로 부상했다"며 "HBM을 제외하면 기존 D램 비트 출하량은 내년에 20% 증가할 것"이라고 예상했다.

HBM과 중국 기업의 공급을 모두 제외한 3대 업체(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)의 D램 비트 출하량 증가율은 15%에 그칠 것으로 추정됐다.

또 "3대 업체 중에서 SK하이닉스가 내년에 생산능력을 가장 크게 확장할 것이고, 이는 수익성이 높은 HBM에 의해 주도될 것"이라며 "HBM, 특히 HBM3E 공급은 내년 내내 빡빡할 것"이라고 예상했다.

SK하이닉스는 올해 3분기 실적발표 콘퍼런스 콜에서 "HBM은 장기 계약을 통해 가격과 물량이 확정돼 있다"며 "내년에 HBM 판매 비중이 증가하면서 (D램) 평균 가격은 전년 대비 상승할 것"이라고 밝힌 바 있다.

삼성전자 역시 3분기 콘퍼런스콜에서 "내년에 기존 라인의 공정 전환을 가속해 범용 제품 비중을 줄이고 선단 공정 비중을 확대할 예정"이라며 "선단 공정에 기반한 차별화 제품에 집중해 수익성 위주의 사업 포트폴리오로 경쟁력을 준비하겠다"고 밝혔다.

jupy@news1.kr