TSMC, 내달 美 공장서 첫 4나노 정식 생산
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세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 내달 미국 애리조나 공장에서 첨단 4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 정식 생산할 예정이라고 연합보 등 대만언론이 4일 소식통을 인용해 보도했습니다.
소식통에 따르면 TSMC는 내달 초 애리조나 피닉스의 21팹(fab·반도체 생산공장)의 1공장 완공식을 거행한 후 TSMC 4나노 기술을 채택한 12인치(305㎜) 웨이퍼의 정식 생산에 들어가고 양산 시점은 내년 1분기 예정입니다.
소식통은 애리조나 TSMC 공장이 대규모 반도체 공장과 연구시설 등이 접목된 반도체 생산 대형 공장 '메가팹'(Mega fab)'으로 설계돼 팹에 설치하는 클린룸의 규모가 동종 업계 팹의 2배에 달한다고 설명했습니다.
이어 21팹의 1공장에서 지난 9월부터 4나노 공정 기술을 채택해 생산에 들어갔다고 덧붙였습니다.
그러면서 원래 3나노 공정을 도입하려던 2공장은 4나노 주문량의 폭주로 인해 우선 4나노 공정 제품 생산에 나선 후 향후 상황을 지켜보면서 3나노 공정을 2028년으로 연기해 설치할 예정이라고 전했습니다.
아울러 3공장에는 2030년께 2나노 또는 'A16'(1.6나노 공정) 생산을 계획하고 있다고 언급했습니다.
다른 소식통은 1공장이 2021년부터 건설을 시작해 완공까지 4년, 2조700억 대만달러(약 89조2천억원)가 투입됐다면서 매달 약 4만장의 웨이퍼를 생산할 예정이라고 밝혔습니다.
이어 2공장은 2028년께 웨이퍼 약 5만장을 양산할 계획이라고 설명했습니다.
그러면서 TSMC가 피닉스 공장에 1∼3공장 건설 외에 4∼6공장의 확충을 준비하고 있다고 밝혔습니다.
대만언론은 미국 애리조나의 TSMC 공장이 미·중 기술 전쟁 속에서 미국 현지 반도체 제조의 바로미터라고 설명했습니다.
나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라집니다. 현재 세계에서 가장 앞선 양산 기술은 3나노입니다.
2나노 부문에서는 TSMC가 대체로 우세한 것으로 전문가들은 평가하고 있습니다.
앞서 지난 2022년 12월에는 미국 애리조나주 피닉스시 중심에서 약 38km 떨어진 곳에 건설하는 TSMC 공장 장비 반입식이 열린 바 있습니다.
당시 행사에는 조 바이든 미국 대통령, 지나 러몬드 상무부 장관, 팀 쿡 애플 최고경영자(CEO), 산자이 메로트라 마이크론 CEO, 황런쉰(젠슨 황) 엔비디아 창업자 겸 CEO, 리사 수 AMD CEO, 지역 주지사와 의원 등 관계자 및 장중머우 TSMC 창업자, 류더인 TSMC 회장, 웨이저자 TSMC CEO 등이 참석했습니다.
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