‘엔비디아 공급’ 시사한 삼성 “HBM3E 퀄테스트 중요 단계 완료”

엔비디아 HBM3E 품질 테스트 통과 지연 우려 ‘일축’
“HBM3E 8단·12단 모두 양산 판매 중…4분기 판매 확대 가능 전망”

(시사저널=김은정 디지털팀 기자)

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 지난 3월21일(현지 시각) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 개발자 회의 'GTC 2024'에서 삼성전자 부스를 방문해 HBM3E에 친필 서명과 '승인(Approved)' 글귀를 남겼다. ⓒ 한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡처

삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E에 대해 "현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중"이라며 "주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고, 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망"이라고 언급했다. 이러한 발언은 HBM 시장 경쟁력에 대한 우려가 커지자 이를 일축하기 위해 나온 것으로 풀이된다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 올 3분기 삼성전자 실적 콘퍼런스콜에서 "전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했다"며 "HBM3E 매출 비중은 3분기에 전체의 10% 초중반 수준까지 증가했다며 "일부 사업화 지연이 있어 전 분기에 발표한 수준은 하회하겠지만, 4분기엔 50%로 예상된다"고 말했다.

이번 3분기 실적 발표의 하이라이트였던 'HBM 로드맵'에 대한 이같은 회사의 공식적 입장은 엔비디아로의 공급이 점차 가시화될 것이란 기대감을 높일 것으로 전망된다. 앞서 삼성전자는 지난 8일 잠정 실적을 발표 당시엔 참고 자료를 통해 "HBM3E의 경우, 예상 대비 주요 고객 사용 사업화 작업이 지연됐다"고 설명했다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면, 글로벌 HBM 수요는 엔비디아(58%), 구글(18%), AMD(8%), AWS(5%) 등에서 나오고 있다. 

김 부사장은 "복수 고객사용으로 HBM3E 8단과 12단 제품 모두 판매를 확대하고 있다"며 "주요 고객사의 차세대 그래픽처리장치(GPU) 과제에 맞춰 HBM3E 개선 제품도 준비 중"이라고 했다. 이어 "내년 상반기 내에 해당 제품의 양산화를 위해 고객사와 일정을 협의 중"이라며 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제용으로 공급을 확대하고, 개선 제품은 신규 과제용으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려갈 것"이라고 설명했다.

삼성전자 서초사옥 ⓒ 연합뉴스

6세대인 HBM4는 애초 계획인 내년 하반기 양산을 목표로 개발을 진행 중이라고 밝혔다. 김 부사장은 "복수 고객사와 커스텀(맞춤형) HBM 사업화를 준비 중"이라며 "커스텀 HBM은 고객의 요구 사항을 만족시키는 게 중요하기 때문에, 베이스 다이 제조와 관련된 파운드리(반도체 위탁생산) 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 내외부 관계없이 유연하게 대응할 계획"이라고 덧붙였다. 글로벌 파운드리 시장은 사실상 대만 TSMC와 삼성전자가 양분하고 있다. 때문에 해당 발언은 고객 요구에 따라 TSMC와의 협력 가능성을 열어둔 것으로 풀이된다.

3분기 메모리 시장은 서버 부문은 수요 강세를 보인 반면, 모바일은 주요 스마트폰 업체들의 재고 조정으로 약세를 보이는 '디커플링' 현상이 심화됐다. 삼성전자는 레거시(범용) 제품 중심의 재고 감축 영향에도 D램과 낸드의 평균판매단가(ASP)가 전분기 대비 한 자릿수 후반 수준으로 상승했다고 설명했다.

김 부사장은 "HBM 생산 집중으로 선단 공정 기반 DDR5의 제한된 공급 여력에도 서버 D램 ASP 상승 폭은 전체 D램 ASP 상승 폭을 상회했다"고 밝혔다. 4분기에도 시장의 디커플링 현상이 지속될 것으로 예상함에 따라 사업 포트폴리오를 조정할 방침이다. 김 부사장은 "일부 레거시 제품에 대해서는 탄력적으로 생산을 하향 조정하며 선단 공정 전환을 가속화하고 있다"며 "전 분기에 이어 재고 건전화를 연내로 마무리해 사업 체질을 강화할 계획"이라고 전했다.

아울러 삼성전자는 내년에도 올해와 유사한 수준의 시설투자(캐펙스·CAPEX)를 고려 중이라고도 밝혔다. 김 부사장은 "차세대 반도체 R&D 단지 건설, 후공정 투자, 클린룸 선확보에 우선순위를 두고 미래 경쟁력 강화에 나설 것"이라며 "설비 투자는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두고 기존 라인에 대해 1b 나노 D램, V8·V9낸드로 전환을 가속해 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가 제품에 집중할 것"이라고 밝혔다.