반도체 핵심기술 중국 유출…전 삼성전자 임원 등 2명 구속기소

삼성전자가 독자개발한 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검은 중국의 모 반도체 회사 대표 66살 최 모 씨와 개발실장 60살 오모 씨를 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소 했습니다.

이들은 2019년 중국 지방정부로부터 4천억원 상당을 투자받아 회사를 세운 뒤 삼성전자가 4조원을 투입해 개발한 핵심기술을 빼돌려 중국 내에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공한 것으로 조사됐습니다.

최씨는 삼성전자 상무와 하이닉스반도체 부사장을 지냈고, 오씨는 삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원으로 근무했습니다.

조성흠 기자 (makehmm@yna.co.kr)

#삼성전자 #기술유출 #반도체_D램

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