삼성반도체 핵심기술 中 유출한 전직 임원 구속기소
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삼성전자가 수조 원을 들여 독자 개발한 핵심 반도체 공정기술을 빼돌려 중국에서 경쟁업체를 세운 전직 임원이 구속 기소됐습니다.
서울중앙지방검찰청은 전직 삼성전자 상무 최 모 씨와 D램 메모리 수석 연구원 출신 오 모 씨를 산업기술보호법과 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속 상태에서 재판에 넘겼습니다.
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삼성전자가 수조 원을 들여 독자 개발한 핵심 반도체 공정기술을 빼돌려 중국에서 경쟁업체를 세운 전직 임원이 구속 기소됐습니다.
서울중앙지방검찰청은 전직 삼성전자 상무 최 모 씨와 D램 메모리 수석 연구원 출신 오 모 씨를 산업기술보호법과 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속 상태에서 재판에 넘겼습니다.
이들은 지난 2019년 말 중국 지방정부로부터 4천억 원을 투자받아 현지 반도체 회사를 설립한 뒤 삼성전자의 국가핵심기술인 D램 공정기술을 부정하게 사용한 혐의를 받고 있습니다.
검찰은 추가 수사 과정에서 최 씨가 860억 원 상당의 회사 지분을 취득하고 보수 명목으로 18억 원을 챙긴 사실을 밝혀내고 , 사측이 조직적으로 범행을 계획한 정황을 확인해 함께 재판에 넘겼습니다.
YTN 신지원 (jiwonsh@ytn.co.kr)
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