‘4조 투자’ 삼성전자 반도체 기술 중국 빼돌린 前 임원 구속 기소

서울중앙지검 전경. / 뉴스1

삼성전자가 4조원을 투자해 개발한 반도체 핵심기술을 중국에 빼돌리고 878억원을 챙긴 전직 임원이 27일 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 안동건)는 중국 청두가오전(CHJS) 대표 최모(66)씨와 개발실장 오모(60)씨를 산업기술보호법과 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속 기소했다고 밝혔다.

최씨는 삼성전자 임원과 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 역임하는 등 국내 반도체 업계에서 30년을 근무했다. 오씨는 삼성전자 수석연구원을 지냈다. 검찰에 따르면 최씨는 중국 청두시에서 약 4600억원을 투자받아 2020년 9월 합작회사 CHJS를 설립하고, 헤드헌팅 업체를 통해 오씨 등 국내 반도체 핵심 인력을 계속 영입했다. 이후 삼성전자의 독자 기술인 20나노급(18나노·20나노) D램 반도체 생산에 필요한 온도, 압력 등 700여 단계 공정 핵심 정보를 중국으로 빼돌려 무단으로 사용했다.

D램 반도체 공정기술 개발에는 글로벌 반도체 업체도 통상 4~5년이 걸리지만, 최씨는 1년 6개월여 만인 2022년 4월에 중국에서 두 번째로 시범 생산에 성공했다. 최종 생산까지 성공하면 삼성전자와 국내 업계 피해는 최소 수십조원에 달할 것으로 추산된다. 최씨는 수사가 시작하자 공장 운영을 중단했다고 한다.

검찰은 지난 10일 경찰에서 사건을 넘겨받아 최씨가 중국 반도체회사 지분 약 860억원 상당을 받고, 보수 명목으로 18억원을 받은 사실을 확인했다. CHJS 법인도 양벌규정에 따라 함께 기소했다. 양벌규정은 법인 대표자 등이 업무와 관련해 위법 행위를 했을 때 법인도 함께 처벌하는 규정이다.