SK하이닉스, 또 세계 최초…'HBM3E 12단' 양산
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SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 5세대 제품인 HBM3E 12단 양산을 시작했다.
지난 3월 HBM3E 8단 제품을 엔비디아에 납품한지 6개월 만에 또다시 의미 있는 성과를 내며 AI(인공지능) 반도체 시장 주도권 '굳히기'에 나섰다.
SK하이닉스는 세계 최초로 36GB(기가바이트) 용량의 HBM3E 12단 신제품 양산을 시작했다고 26일 밝혔다.
SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 속도·용량·안정성 등에서 세계 최고 수준을 충족했다고 밝혔다.
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두께는 얇게, 용량 50%↑
연내 엔비디아 등 공급 목표
SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 5세대 제품인 HBM3E 12단 양산을 시작했다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 엔비디아에 납품한지 6개월 만에 또다시 의미 있는 성과를 내며 AI(인공지능) 반도체 시장 주도권 '굳히기'에 나섰다.
SK하이닉스는 세계 최초로 36GB(기가바이트) 용량의 HBM3E 12단 신제품 양산을 시작했다고 26일 밝혔다.
양산 제품은 연내 고객사에 공급한다. SK하이닉스는 HBM3E를 엔비디아에 사실상 독점 공급하고 있다. 36GB는 현존 HBM 최대 용량이다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.
SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 속도·용량·안정성 등에서 세계 최고 수준을 충족했다고 밝혔다. 동작 속도는 현존 메모리 최고인 9.6Gbps로 높였다. 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU(그래픽처리장치)로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동하면 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
회사는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV(실리콘관통전극) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.
얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스 핵심 기술인 '어드밴스드 MR-MUF' 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였다. 강화한 휨 현상 제어로 제품 안정성·신뢰성을 확보했다.
김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서 면모를 입증했다"며 "앞으로도 AI 시대의 난제를 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더'로서 위상을 이어가겠다"고 말했다.
유선일 기자 jjsy83@mt.co.kr
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