SK하이닉스 ‘12단 5세대 HBM’ 양산 돌입

세계 최초 개발한 삼성전자보다 빠르게…점유율 1위 ‘굳히기’

SK하이닉스가 업계에서 가장 먼저 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단 양산에 돌입했다. 지난 2월 최초로 12단 개발에 성공했다고 밝힌 삼성전자보다 빨리 양산에 들어가며 HBM 시장 주도권 굳히기에 나섰다.

SK하이닉스는 “현존 HBM 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품 양산을 시작했다”며 “양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정”이라고 26일 밝혔다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.

AI 반도체에 필수적인 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 메모리다.

SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 AI 반도체 시장 ‘큰손’ 엔비디아에 납품한 지 6개월 만에 12단 양산 소식을 알렸다. SK하이닉스는 HBM 시장에서 50%대 점유율을 가진 1위 사업자다. 삼성전자와 미국 마이크론이 그 뒤를 쫓고 있다.

회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안전성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 밝혔다. 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다.

또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. 전 세대보다 방열 성능을 10% 높이고 휨 현상 제어를 강화해 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다.

노도현 기자 hyunee@kyunghyang.com