SK하이닉스, TSMC 주최 포럼 참가…AI 메모리 협력관계 과시

'OIP 2024 포럼'서 엔비디아·TSMC와 3자 협력 강조
엔비디아 H200-SK하이닉스 HBM3E 나란히 전시
"TSMC와 협력해 HBM4 성능 높일 것…전략적 관계 강화"

(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = SK하이닉스가 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 대만 TSMC가 개최하는 '오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼'에 참가해 협력관계를 과시했다.

엔비디아 최신 인공지능(AI) 칩에 탑재되는 5세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품 HBM3E를 나란히 전시하며 엔비디아와의 파트너십도 강조했다.

26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 'OIP 에코시스템 포럼 2024'에 참가해 최신 인공지능(AI) 메모리 설루션을 선보였다.

OIP는 TSMC가 반도체 생태계(에코시스템) 기업과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼이다. 반도체 설계, 생산 등 다양한 기업이 이 플랫폼에 참여하고 있다.

OIP 포럼은 이들 기업이 신제품과 기술을 교류하는 자리로, TSMC는 매년 하반기 OIP 구성원과 주요 고객사를 초청해 세계 각국에서 행사를 개최한다.

올해 행사는 미국을 포함해 일본(10월), 대만·중국·유럽·이스라엘(11월) 등 6개 지역에서 진행되며 총 750개 기업과 6천명 이상이 참가할 것으로 전망된다.

SK하이닉스의 OIP 포럼 참가는 이번이 처음이다.

이번 행사에서 SK하이닉스는 엔비디아, TSMC 등과 3자 협력으로 성능이 검증된 제품을 소개해 방문객들의 관심을 받았다.

SK하이닉스는 HBM3E와 엔비디아의 H200 칩셋 보드를 함께 전시하며 해당 칩셋 제조사인 TSMC와의 전략적 파트너십을 전면에 내세웠다.

10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM(1cnm)도 세계 최초로 공개했다.

이 제품은 차세대 미세화 공정이 적용된 D램으로, 초당 8Gb(기가비트) 동작 속도를 낸다.

이전 세대 대비 11% 빨라진 속도와 9% 이상 개선된 전력 효율을 자랑하며, 데이터센터 적용 시 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 보인다.

이 밖에 128GB 용량 및 초당 8.8Gb 속도의 DDR5 MCRDIMM과 256GB 용량 및 초당 6.4Gb 속도의 DDR5 3DS RDIMM 등 고성능 서버용 모듈을 전시했다.

또 LPDDR5X 여러 개를 모듈화한 LPCAMM2, 세계 최고속 모바일 D램 LPDDR5T 등 온디바이스 AI 분야에서 활약할 제품과 함께 차세대 그래픽 D램 GDDR7까지 선보였다.

SK하이닉스는 'HBM 품질과 신뢰성 향상을 위한 패키지 내 2.5D 시스템에 대한 공동 연구' 결과도 발표했다.

세션 발표자로 나선 이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE(테크니컬 인에이블링) TL은 발표에서 고성능·고효율 HBM 패키지를 개발하기 위해서는 TSMC와의 기술 협업뿐 아니라 여러 업체와의 협업 또한 중요하다고 강조했다.

이와 함께 이 TL은 "TSMC 베이스 다이를 활용해 HBM4(6세대)의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF 또는 하이브리드 본딩 기반의 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적 요구를 충족할 계획"이라고 설명했다.

SK하이닉스는 TSMC 3D패브릭 얼라이언스 워크숍에도 참여해 활발한 기술교류를 펼쳤다.

SK하이닉스 측은 "이번 행사는 AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리"라며 "앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침"이라고 밝혔다.

burning@yna.co.kr

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