흔들림 없는 '글로벌 1위'…SK하이닉스, 또 세계 최초 '잭팟'

SK하이닉스, HBM3E 12단 양산 시작
현존 HBM 최대 용량 36GB 구현 성공
속도·용량·안전성 등 세계 최고 수준

SK하이닉스 본사. 사진=연합뉴스

SK하이닉스가 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다. 

SK하이닉스는 26일 현존하는 HBM 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 HBM3E 12단 신제품 양산에 돌입했다고 밝혔다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직으로 쌓은 24GB에 그쳤다. 

SK하이닉스는 신제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 업계에서 처음으로 HBM3E 8단 제품을 고객사에 납품한 지 6개월 만에 또다시 '세계 최초' 타이틀을 차지한 것이다.

SK하이닉스는 자신감을 드러냈다. 이 회사는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업”이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 자평했다. 

SK하이닉스는 이번 신제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다. 

실제로 동작 속도의 경우 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 끌어올렸다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 거대언어모델(LLM)인 ‘라마 3 70B‘를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 

SK하이닉스가 세계 최초로 양산을 시작한 5세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM3E 12단' 신제품. 사진=SK하이닉스 제공

또 8단 제품과 같은 두께로 3GB D램 칩 12개를 쌓아 용량을 50% 늘렸다. 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스 핵심 기술인 어드밴드스 MR-MUF 공정으로 방열 성능을 10% 높였고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품 안전성과 신뢰성을 확보했다. 

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다. 

SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어도 우수한 것으로 알려졌다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라담당(사장)은 "다시 한번 기술 한계를 돌파하면서 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더’로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다. 

김대영 한경닷컴 기자 kdy@hankyung.com