SK하이닉스, 세계 최초 '12단 HBM3E' 양산…연내 엔비디아에 납품

이민후 기자 2024. 9. 26. 10:00
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[SK하이닉스가 세계 최초로 양산하기 시작한 HBM3E 12단 신제품 (SK하이닉스 제공=연합뉴스)]

SK하이닉스가 세계 최초로 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입했습니다.

지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 인공지능(AI) 반도체를 주도하는 엔비디아에 납품한 지 6개월 만입니다.

SK하이닉스는 현존 HBM 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 오늘(26일) 밝혔습니다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였습니다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 고부가가치 제품입니다.

SK하이닉스의 HBM3E 12단 양산 제품은 연내 엔비디아에 공급이 이뤄질 전망입니다. 

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 강조했습니다.

이번 제품의 동작 속도는 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높아졌습니다. 

이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 오픈소스 거대언어모델(LLM)인 '라마3 70B'를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준입니다.

SK하이닉스는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸습니다. 

D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았습니다. 

얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했습니다. 

SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고 휨 현상 제어를 강화했습니다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 이어가겠다"고 말했습니다. 

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