SK, 5세대 최신 HBM 또 앞섰다…HBM3E 12단 '세계 첫 양산'

현존 최대 용량 36GB 구현…속도·용량·안정성 등 최고 수준
엔비디아 블랙웰 시리즈 탑재 전망…김주선 사장 "독보적 AI메모리 리더 입증"

SK하이닉스가 세계 최초로 양산하기 시작한 HBM3E 12단 신제품.(SK하이닉스 제공) ⓒ News1 김재현 기자

(서울=뉴스1) 김재현 기자 = SK하이닉스(000660)는 현존 HBM(고대역폭메모리) 최대 용량 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. 기존 HBM3E 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, AI(인공지능) 반도체 핵심 부품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다.

이번 신제품은 SK하이닉스가 세계 최초로 양산한다. SK하이닉스는 "지난 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업"이라며 "높아지는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공했다"고 말했다.

HBM3E 12단 신제품은 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준으로 평가받는다.

SK하이닉스는 이번 제품 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 제품 4개를 탑재한 단일 GPU(그래픽처리장치)로 메타의 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동하면 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.

두께는 기존 8단 제품과 같지만 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.

얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스의 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.

HBM3E 12단 신제품은 미국 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '블랙웰' 시리즈에 탑재될 전망이다. AI 반도체로 불리는 AI 가속기는 AI 학습·추론에 필수적인 반도체 패키지로, 대개 엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 HBM을 붙여 만든다.

김주선 SK하이닉스 사장(AI인프라 담당)은 "다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하겠다"라고 말했다.

kjh7@news1.kr