SK하이닉스, 세계 최초 '12단 HBM3E' 양산 돌입
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SK하이닉스가 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
기존 HBM3E이 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB인 것을 감안하면 최대 용량이 대폭 늘었다.
SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 바 있는데 6개월 만에 12단 양산에 돌입한 것이다.
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"속도·용량·안정성 전 부문 세계 최고 수준"
[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스가 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
기존 HBM3E이 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB인 것을 감안하면 최대 용량이 대폭 늘었다.
양산 제품은 연내 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 바 있는데 6개월 만에 12단 양산에 돌입한 것이다.
회사는 HBM3E 12단 제품이 인공지능(AI) 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다.
SK하이닉스는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B‘를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만든 뒤 수직으로 쌓았다.
이와 함께 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높이고 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다.
SK하이닉스는 12단 신제품의 양산 성공을 통해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어간다는 방침이다.
SK하이닉스 김주선 사장은 "독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다.
☞공감언론 뉴시스 leejy5223@newsis.com
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