SK하이닉스, 업계 첫 ‘12단 적층 HBM3E’ 양산 돌입… 연내 엔비디아 공급
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SK하이닉스가 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
SK하이닉스 관계자는 "당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업"이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공했다"고 했다.
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SK하이닉스가 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.
SK하이닉스는 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정으로, 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한 지 6개월 만에 양산에 돌입하게 된다고 설명했다. HBM3E 12단은 엔비디아 측에 가장 먼저 공급될 것으로 전망된다.
SK하이닉스 관계자는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업”이라며 “높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공했다”고 했다.
회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도와 용량, 안정성 등 모든 부문에서 업계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다.
우선 회사는 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델(LLM)인 ‘라마 3 70B’를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.
SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다고 설명했다.
김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 준비하겠다”고 했다.
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