"中, ASML 독점 도전할 EUV 노광장비 특허 출원"

지난해 3월 출원해 中 당국 심사 과정

사진=이미지투데이

[서울경제]

중국 유일 노광장비 개발업체인 국영 상하이마이크로일렉트로닉스(SHEE)가 네덜란드 ASML의 독점에 도전할 특허를 출원했다고 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)가 12일(현지 시간) 보도했다.

SCMP는 이날 중국 기업정보 사이트 치차차를 인용해 SMEE가 지난해 3월 출원한 ‘극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비’ 특허가 10일 공개됐으며 중국 국가지식재산권국이 심사 중에 있다고 보도했다. 노광장비는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새겨 넣는 기술이다. 특히 EUV 노광장비 시장의 경우 ASML이 거의 독점하다시피 하고 있다. 중국 노광장비 시장 역시 99%를 ASML과 일본 니콘·캐논이 차지하고 있다.

SMEE의 특허 출원은 중국이 반도체 산업의 아킬레스건으로 여겨온 EUV 리소그래피를 어떻게 발전시키고 있는지를 보여준다고 SCMP는 전했다. 수 년간의 노력에도 SMEE는 28나노(㎚·10억분의 1) 이하 공정에 필요한 노광장비의 양산에서 ASML에 뒤처진 상태다. 대(對)중국 반도체 제재를 강화하고 있는 미국의 요구에 따라 ASML은 2019년부터 중국 수출에 제한을 받고 있다. SMEE 역시 2022년 12월 미국 정부의 블랙리스트에 올라 특정 미국 기술에 대한 접근이 차단된 상황이다.

다만 미국의 규제가 외려 중국이 자체 기술 개발을 가속화시키고 있다는 관측도 제기된다. 지난달 중국 화웨이는 잠재 고객사들에 “엔비디아의 H100 반도체에 필적한 성능을 갖춘 인공지능(AI) 반도체를 개발했으며 10월부터 출하가 시작될 것”이라고 통보한 것으로 알려졌다. 앞서 중국 나우라테크놀로지 역시 ASML의 최첨단 EUV 노광장비 없이 5나노 반도체를 생산하는 기술에 진전을 이뤘다고 SCMP는 전했다.

정혜진 기자 sunset@sedaily.com