中 SMEE, EUV 특허 출원… ASML 독점 깨나
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중국 국영 리소그래피(Lithography·노광) 장비 개발사인 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 최첨단 미세 공정에 필요한 EVU(극자외선) 장비 특허를 출원한 것으로 전해졌다.
13일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 중국 기업정보 사이트 치차차를 인용해 SMEE가 지난해 3월 출원한 '극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비' 특허가 지난 10일 공개됐으며, 중국국가지식재산권국이 심사를 진행 중이라고 전했다.
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중국 국영 리소그래피(Lithography·노광) 장비 개발사인 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 최첨단 미세 공정에 필요한 EVU(극자외선) 장비 특허를 출원한 것으로 전해졌다. 현재 EUV 장비는 전 세계에서 네덜란드 ASML이 유일하게 공급하고 있다.
13일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 중국 기업정보 사이트 치차차를 인용해 SMEE가 지난해 3월 출원한 ‘극자외선(EUV) 방사선 발생기 및 리소그래피 장비’ 특허가 지난 10일 공개됐으며, 중국국가지식재산권국이 심사를 진행 중이라고 전했다. 리소그래피 장비는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼)에 고도로 복잡한 회로 패턴을 새겨넣는 기술이다.
SCMP는 “이 특허는 SMEE가 중국 반도체 산업의 아킬레스건으로 여겨지는 EUV를 어떻게 발전시키고 있는지를 보여준다”며 “수년간의 노력에도 SMEE는 28나노(㎚, 10억분의 1m) 이하 공정에 사용할 수 있는 리소그래피 장비의 안정적인 양산에서 ASML에 뒤처져 있다”고 했다.
중국 리소그래피 장비 시장은 ASML과 일본의 니콘, 캐논이 99%를 장악하고 있다. 이런 와중에 SMEE는 2022년 12월 미국 정부의 블랙리스트에 올라 미국 기술 수입에 제동이 걸렸다. SCMP는 “새롭게 드러난 SMEE의 노광장비 특허 출원은 미국 제재에도 중국 기업들이 자국 첨단 노광장비 시장에서 어떻게 발전할 수 있는지를 보여준다”며 “중국에서 극자외선 노광장비를 생산하는 것은 ASML의 독점을 깨는 것”이라고 했다.
미국의 대중 반도체 규제로 중국 반도체 산업은 큰 타격을 입었으나, 일각에선 이런 제재가 오히려 중국이 자체 기술 개발에 집중하도록 촉진했다는 지적도 나온다. 앞서 지난 4월 SCMP는 중국 나우라테크놀로지가 ASML의 EUV 장비 없이 5나노 반도체를 생산하는 기술 개발에 진전을 보이고 있다고 전했다.
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