AI 메모리 1등은 나...삼성전자, 업계 첫 QLC 9세대 V낸드 양산

TLC 이어 QLC까지…9세대 V낸드 라인업 구축
읽기·쓰기 소비전력 감소…데이터센터도 부담↓
차세대 낸드 주류될 QLC…"올해 출하 20% 차지"

삼성전자가 1Tb용량의 QLC 9세대 V낸드를 양산한다고 12일 밝혔다. 삼성전자 제공

삼성전자는 업계 처음으로 쿼드러플레벨셀(QLC·셀당 4비트 저장) 기술 기반의 9세대 V낸드를 양산했다고 12일 밝혔다. 초고용량 낸드플래시로 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 나선다는 계획이다.

AI 메모리 시장에서 가장 주목받는 제품은 고대역폭메모리(HBM)지만, 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 중요하다. 언어 모델 데이터 학습을 위해서는 학습 재료가 되는 대규모 데이터를 담을 공간이 필요해서다. 이번에 내놓은 QLC 9세대 V낸드는 데이터센터용 고용량 SSD로 많이 쓰인다. 삼성전자는 4월 1테라비트(Tb) 용량의 TLC 9세대 낸드 양산에 이어 이보다 더 발전한 QLC 1Tb 9세대 V낸드 양산에 성공했다.

회사는 채널 홀 에칭(몰드 층을 쌓아 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술)을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다고 설명했다. 더블 스택은 낸드를 두 번에 나눠 제작한 뒤 결합하는 기술로 세 번에 나눠 생산하는 트리플 스택보다 공정 수가 적기 때문에 시간과 비용을 줄일 수 있다. 업계에서는 280단대 후반 적층에 성공한 것으로 보고 있다.

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드보다 비트 밀도가 약 86% 늘었다. V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간·층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 게 중요한데 이에 이번 V낸드 제품에 '디자인드 몰드' 기술을 활용해 전작보다 데이터 보존 성능을 20% 높였다고 삼성전자는 설명했다. 이전 세대 제품보다 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했고 '저전력 설계 기술'로 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 줄였다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI용으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 돋보일 것"이라고 밝혔다.

이윤주 기자 misslee@hankookilbo.com