삼성, 세계 첫 ‘QLC 9세대 V낸드’ 양산… “입출력 속도 60% 향상”

데이터 보존성능 20%↑ 삼성전자가 12일 공개한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’ 제품 모습. 삼성전자는 이번 V낸드 제품에 ‘디자인드 몰드’ 기술을 활용해 전작 대비 데이터 보존 성능을 20% 높였다고 설명했다. 삼성전자 제공

삼성전자가 업계 최초로 인공지능(AI) 시대 초고용량 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 최적화된 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’ 양산에 성공했다. V낸드는 컴퓨터 서버와 스마트폰 등에 탑재되는 데이터 저장용 메모리 반도체인 낸드를 쌓아 올린 제품이다.

12일 삼성전자에 따르면, 9세대 V낸드는 ‘채널 홀 에칭’ 기술을 활용해 더블 스택(채널 홀 공정을 두 번 진행) 구조로 업계 최고 단수(약 290단 추정)를 구현해냈다. 채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차 적층한 뒤, 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 최첨단 기술이다. 특히 이번 9세대 QLC V낸드는 데이터가 저장되는 셀과 주변 회로인 페리의 면적을 최소화시켜 이전 세대 대비 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트 수)가 약 86% 증가했다고 삼성전자는 설명했다.

아울러 셀의 상태 변화를 예측, 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램’ 기술을 통해 쓰기 성능은 100%, 입출력 속도는 60% 개선됐다. 데이터 읽기·쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 낮췄다. 대신 데이터 보존 성능을 20% 끌어올렸다.

AI 훈풍에 따라 데이터센터 규모가 확대되면서 많은 양의 서버 데이터를 빠르게 처리하기 위해 QLC 기반 고용량·고성능 낸드가 탑재된 기업용 SSD가 실적을 견인하는 효자 제품으로 부상하고 있다. 삼성전자도 압도적 초격차 제품인 9세대 V낸드를 향후 AI 서버용 제품으로 활용하는 등 포트폴리오 구성을 강화한다는 방침이다.

앞서 SK하이닉스가 전날 데이터센터용 고성능 SSD 신제품 ‘PEB110 E1.S’를 개발하는 등 AI 데이터센터 시장을 둘러싼 메모리 업체 간의 선점 경쟁은 갈수록 치열해지고 있다.

김성훈 기자 powerkimsh@munhwa.com