삼성전자, 1Tb QLC 9세대 V낸드 업계 최초 양산

데이터 쓰기 속도 100% 높이고 저전력 특성 구현
초고용량 낸드로 AI 서버용 메모리 리더십 확보

[이데일리 김응열 기자] 삼성전자(005930)가 대용량 구현이 용이한 쿼드러플레벨셀(QLC)을 기반으로 업계 최초 1테라비트(Tb) 9세대 V낸드 양산에 나섰다. 삼성전자는 초고용량 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 앞세워 인공지능(AI) 메모리 시장 공략에 속도를 낼 전망이다.

삼성전자가 양산한 QLC 1Tb 9세대 V낸드. (사진=삼성전자)

삼성전자는 1Tb QLC 9세대 V낸드를 양산했다고 12일 밝혔다. 지난 4월 TLC 9세대 V낸드를 최초 양산한데 이어 QLC 제품까지 선보인다.

이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드보다 비트 밀도(Bit Density)가 약 86% 증가했다. 이는 업계 최고 수준이다.

이 신제품에는 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술도 활용했다. 셀 특성을 균일화하고 최적화하기 위해, 셀을 동작시키는 WL(Word Line·트랜지스터를 켜고 끄는 역할을 담당하는 배선) 간격을 조절해 적층하는 기술이다. 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰다. 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 게 중요한데 디자인드 몰드 기술로 이를 해결했다.

삼성전자가 양산한 QLC 1Tb 9세대 V낸드. (사진=삼성전자)

아울러 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술’로 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.

삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드도 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”며 “최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것”이라고 말했다.

삼성전자가 양산한 QLC 1Tb 9세대 V낸드. (사진=삼성전자)

김응열 (keynews@edaily.co.kr)