하이닉스, 데이터센터용 고성능 SSD 개발

PEB110, 성능 2배·전력효율 30%↑
인증 작업 후 2025년 2분기부터 양산

SK하이닉스가 인공지능(AI) 시장 확대로 폭증하는 메모리 반도체 수요에 발맞춰 데이터센터용 고성능 저장장치 신제품을 공개했다.

SK하이닉스는 데이터센터용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PEB110 E1.S’(이하 PEB110·사진)를 개발했다고 11일 밝혔다.

SK하이닉스는 “AI 시대가 본격화되면서 고대역폭메모리(HBM)와 같은 초고속 D램은 물론, 고성능 낸드 솔루션 제품인 데이터센터용 SSD에 대한 고객 수요도 커지고 있다”며 “기존 초고성능 제품인 PS1010에 더해 PEB110 개발로 한층 탄탄해진 SSD 포트폴리오를 구축하게 됐다”고 설명했다.

PEB에는 직전 세대보다 대역폭이 2배로 넓어진 PCle(디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스) 5세대가 적용되면서 데이터 전송 속도가 초당 32기가트랜스퍼(GTs)에 달한다. 이를 통해 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고 전력 효율은 30% 이상 개선됐다.

PEB110은 최근 데이터센터에 대한 사이버 공격이 증가하면서 정보 보안 요구가 커지는 흐름에 맞춰 SK하이닉스 데이터센터용 SSD 중 최초로 SPDM 기술이 탑재됐다. SPDM은 서버 시스템을 보호하는 데 특화된 핵심 보안 솔루션으로 서버의 안전한 인증과 모니터링을 지원한다.

SK하이닉스는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이다. 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다.

안현 SK하이닉스 부사장은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.

이동수 기자