2배 향상 데이터센터 SSD…하이닉스, 내년 2분기 양산

SK하이닉스가 이전 세대보다 성능이 2배 향상된 인공지능(AI) 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD) ‘PEB110 E1.S’(PEB110)를 개발했다고 11일 밝혔다. AI용 D램인 고대역폭메모리(HBM)에서 승기를 잡은 SK하이닉스가 낸드플래시 제품인 SSD에서도 두각을 나타내고 있다는 평가가 나온다.

고속 입출력 인터페이스(PCIe) 5세대 규격이 적용된 신제품은 이전 세대보다 대역폭이 2배로 넓어졌다. 이에 따라 데이터 전송 속도가 기존 제품보다 2배 빨라진 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달하고, 전력 효율은 이전 세대보다 30% 이상 개선됐다. 이번 제품은 2테라바이트(TB), 4TB, 8TB 등 세 가지 용량으로 개발됐다.

SK하이닉스는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이다. 인증 이후 내년 2분기부터 제품을 양산할 계획이다. 보안도 강화했다. SK하이닉스는 자사 데이터센터용 SSD 중 처음으로 이번 제품에 서버 특화 보안 솔루션(SPDM)을 적용했다.

낸드 사업을 총괄하는 안현 부사장은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다”며 “고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.

박의명 기자 uimyung@hankyung.com