SK키파운드리, ‘성능 20% 개선’ 4세대 BCD 공정 출시

모바일·차량용 전력반도체
성능향상위한 솔루션 제공

SK키파운드리

SK하이닉스의 자회사로서 8인치 순수 파운드리 기업인 SK키파운드리가 11일 기존보다 20% 성능을 높인 4세대 0.18㎛(마이크로미터) BCD 공정을 출시한다고 밝혔다. 이를 통해 모바일 및 전력 반도체 성능을 향상시킬 수 있는 솔루션을 제공한다. BCD는 Bipolar(아날로그 신호 제어), CMOS(디지털 신호 제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현하는 기술이다.

SK키파운드리의 이번 4세대 공정은 3.3V(볼트), 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자를 제공한다. 또한 이는 서버 및 노트북용 전력반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 차저, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 고객맞춤형으로 사용할 수 있는 것이 특징이다.

또한 125도 고온 환경에서 집적회로(IC) 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 1등급을 충족했다. 아울러 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계도 가능하다.

SK키파운드리는 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상 등에 기여할 것으로 기대했다.

이동재 SK키파운드리 대표는 “전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것”이라고 설명했다.