SK키파운드리, 4세대 BCD공정 출시…모바일·車 반도체 성능 개선

4세대 0.18㎛ BCD 공정…3세대 대비 성능 20% 향상

(서울=뉴스1) 한재준 기자 = SK키파운드리는 4세대 0.18마이크로미터(㎛) BCD 공정을 출시했다고 11일 밝혔다.

4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상됐다. SK키파운드리는 4세대 공정을 앞세워 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 설루션을 제공한다는 계획이다.

4세대 공정은 3.3볼트(V), 5V, 18V 등 전력 소자 게이트 입력단을 비롯해 40V급 전력 소자도 제공할 수 있다.

서버 및 노트북용 전력관리반도체(PMIC)와 더블데이터레이트(DDR)5 메모리용 PMIC, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 고객 맞춤형 사양을 제공할 수 있다.

4세대 공정은 125도 고온에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질규격(AEC-Q100 Grade1)을 만족해 자동차용 전력 반도체에도 활용할 수 있다. 1만5000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터(Isolator) 제품 설계도 가능하다.

SK키파운드리는 4세대 공정이 모바일 기기의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상에 기여할 것이라고 밝혔다.

hanantway@news1.kr

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