SK키파운드리, 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시...모바일·차량용 전력반도체 지원

3세대 대비 성능 20% 향상

(지디넷코리아=이나리 기자)반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SK키파운드리가 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 출시한다고 11일 밝혔다. 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상돼 모바일 및 차량용 전력 반도체 성능 향상을 지원한다.

SK키파운드리

SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공한다. 이런 특징으로 서버 및 노트북용 전력 반도체(PMIC), DDR5 메모리용 PMIC, 모바일 충전, 오디오 앰프, 차량용 게이트 드라이버 등 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있다. 

또한 트리밍용 MTP(Multi-Time Programmable), OTP(One-Time Programmable) 메모리, S램 메모리 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다.

4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에서도 사용할 수 있다. 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 갖췄다. 또 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 아이솔레이터 제품 설계 또한 가능하다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며 "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 게이트 드라이버 IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다. 

이나리 기자(narilee@zdnet.co.kr)