반도체 전문가, '4.3조원 기술' 中에 빼돌렸다

삼성전자·하이닉스 임원 출신
20나노급 D램 기술 무단 유출

삼성전자가 수조원을 들여 개발한 반도체 핵심 기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 전직 임원과 수석연구원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 중국 반도체기업 청두가오전(CHJS) 대표 최모 씨(66)와 공정설계실장 오모 씨(60)를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속 송치했다고 10일 밝혔다. 최씨는 삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스)에서 임원을 지냈고, 오씨는 삼성전자 수석연구원 출신이다.

경찰에 따르면 최씨는 2020년 9월 중국 지방정부와 합작해 CHJS를 설립한 뒤 오씨 등 국내 반도체 전문인력을 대거 영입해 삼성전자의 20나노급 D램 반도체 공정 단계별 핵심 기술을 무단 유출, 부정 사용한 혐의를 받는다. 오씨는 삼성전자 핵심 기술을 빼돌려 CHJS로 이직한 뒤 공정설계실장으로 일한 것으로 파악됐다.

경찰에 따르면 삼성전자 18나노급 공정 개발비는 약 2조3000억원, 20나노급 공정 개발비는 약 2조원에 달하는 등 피해 기술의 경제적 가치는 약 4조3000억원에 이른다.

CHJS는 2021년 1월께 반도체 D램 연구 및 제조 공정 건설에 들어가 같은 해 12월 준공해 불과 1년3개월 만인 2022년 4월 시범 웨이퍼를 생산했다. 시범 웨이퍼는 해당 공정 생산물이 반도체로 기능할지 가늠하는 기초 개발 제품이다.

CHJS는 지난해 6월께 20나노급 D램 개발에 성공한 뒤 양산을 위해 수율을 높여가는 단계였으나, 본 사건 수사로 공장 운영이 중단됐다. 유출 기술로 인한 실질적 수익은 없는 것으로 파악됐다.

김다빈 기자 davinci@hankyung.com