‘삼성 반도체 기술 유출’ 前 삼성전자 임원 등 2명 구속 송치

전 삼성전자 임원 등 중국에 회사 설립후 국내 반도체 기술 빼돌려
경찰 “피해 기술 경제적 가치 4조3000억원 추산”

(시사저널=문경아 디지털팀 기자)

10일 오후 조광현 안보수사지원과장이 서울 종로구 서울경찰청에서 삼성전자 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의 관련 피의자 구속 송치 브리핑을 하고 있다. ⓒ연합뉴스

삼성전자 반도체 기술을 중국 기업에 빼돌린 혐의를 받는 전 삼성전자 임원 등 2명이 구속 송치됐다.

10일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원이었던 최아무개씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오아무개씨를 산업기술법 위반, 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속 송치했다.

이들은 지난 2014년 삼성전자가 독자적으로 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 '볼츠만'을 중국의 반도체 업체 청두가오전에 빼돌린 혐의를 받는다. 청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장을 지냈던 최씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 설립한 회사다.

최씨는 청두가오전을 설립하는 초기 단계부터 국내 반도체 핵심인력들과 접촉해 삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원을 지낸 오씨를 비롯한 기술 인력 상당수를 청두가오전에 지속적으로 영입했다.

최씨는 국내 반도체 기술자들을 통해 삼성전자의 20나노급 D램 반도체 핵심공정기술이자 국가핵심기술인 '반도체 공정 종합 절차서(PRP)'와 '최종목표규격(MTS)' 등을 유출해 무단 사용했다.

실제 청두가오전은 2021년 1월경 반도체 D램 연구 및 제조 공장 건설에 착수해 같은 해 12월 준공, 불과 1년3개월 만인 2022년 4월에 '시범 웨이퍼'를 생산했다. 시범 웨이퍼는 적용 기술이 실제 반도체로서의 기능을 발휘할 수 있는지 측정하는 기초 개발 제품을 말한다.

오씨는 삼성전자의 핵심 기술을 유출해 청두가오전으로 이직한 후 공정설계의 핵심 역할을 수행했다.

경찰은 이번 삼성전자 반도체 기술 유출 사건이 이전의 다른 기술 유출 사건보다 규모가 큰 것으로 보고 있다. 경찰 관계자는 "삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조3000억원이며, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달하는 등 피해 기술의 경제적 가치는 4조3000억원으로 추산된다"며 "경제 효과 등을 감안하면 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준"이라고 밝혔다.

다만 삼성전자의 반도체 기술이 아직 중국 내 외국 기업으로 유출된 정황은 확인되지 않았다. 경찰 관계자는 "청두가오전의 경우 현재 사업이 중단된 상태고, 20나노급 D램 양산에도 성공하지 못했다"며 "중국 내 외국 기업으로 넘어갔다는 정황은 확인된 바 없으며 모니터링 중"이라고 말했다.

경찰은 이번 기술 유출 사건과 관련해 청두가오전으로 이직한 임직원들을 추가 입건해 수사를 이어가고 있다. 또한 국내 핵심 기술 인력이 해외 이직 과정에서 기술 유출을 위한 불법 인력송출이 있었는지 여부도 조사 중이다.

경찰 관계자는 "현재까지 약 30명 정도가 입건된 상황"이라며 "기술을 유출한 추가 국내 기술 인력 및 이와 관련된 인력 송출 혐의에 대해서도 엄정 수사할 것"이라고 밝혔다.