'삼성반도체 핵심기술 유출' 전 임직원 구속 송치
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삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속상태로 검찰에 넘겨졌습니다.
서울경찰청 산업기술안보수사대는 오늘(10일) 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원 최 모 씨와 삼성전자 전 수석 연구원 오 모 씨를 구속 송치했습니다.
이들은 지난 2020년 9월 중국 지방정부와 합작해 반도체 기업 '청두가오전'을 세우고, 삼성전자가 개발한 20나노급 D램 반도체 핵심기술을 수년에 걸쳐 유출한 혐의를 받습니다.
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삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속상태로 검찰에 넘겨졌습니다.
서울경찰청 산업기술안보수사대는 오늘(10일) 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원 최 모 씨와 삼성전자 전 수석 연구원 오 모 씨를 구속 송치했습니다.
이들은 지난 2020년 9월 중국 지방정부와 합작해 반도체 기업 '청두가오전'을 세우고, 삼성전자가 개발한 20나노급 D램 반도체 핵심기술을 수년에 걸쳐 유출한 혐의를 받습니다.
이들은 공장을 설립한 지 1년 3개월 만에 실제 20나노급 D램 개발에 성공했는데, 우리 경찰이 지난해 2월 첩보를 입수한 뒤 수사에 나선 끝에 공장 운영이 중단됐습니다.
경찰은 유출된 기술이 개발하는 데만 4조3천억 원이 들었고 실제 피해 금액은 가늠하기 어려울 정도로 경제안보의 근간을 뒤흔든 사건이라고 설명했습니다.
이어, 불법 인력 송출 등 추가 범행을 조사하는 동시에 다른 산업기술 해외 유출 범죄에 대한 첩보 수집과 단속 활동을 강도 높게 이어가겠다고 밝혔습니다.
YTN 이현정 (leehj0311@ytn.co.kr)
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