삼성 반도체 기술 중국에 홀랑.. 공장까지 지은 前 임원

국내 반도체 권위자, 中지방정부와 합작社 설립
삼성전자 20나노급 D램 반도체 핵심기술 유출
국내 인력 상당수 영입…단기간 시범웨이퍼 생산
피해기술 경제적 가치 4.3조원…"국가경쟁력 악화"

[이데일리 이유림 기자] 중국 지방정부와 합작으로 반도체 제조업체를 설립해 국내 삼성전자의 핵심기술을 유출 및 부정 사용한 2명이 구속 송치됐다.

삼성전자의 반도체 핵심기술을 유출한 혐의를 받는 C사의 현지 R&D 센터 홍보 영상(사진=C사 홈페이지 캡처)

서울경찰청 산업기술안보수사대는 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반, 부정경쟁방지및영업비밀보호에관한법률 위반 등 혐의를 받는 반도체 제조업체 회사 대표 A(66)씨와 공정설계실장 B(60)씨 등 2명을 구속 송치했다고 10일 밝혔다.

이들은 지난 2020년 9월경 중국 지방정부와 합작으로 반도체 제조업체 C사를 설립, 국내 반도체 전문인력을 대거 이직시켜 국내 삼성전자의 20나노급 D램 메모리 반도체 공정단계별 핵심기술을 유출 및 부정 사용한 혐의를 받는다.

경찰에 따르면 A씨는 국내 대표적인 반도체 회사 임원을 역임하는 등 국내 반도체 업계 권위자로, 중국에서 반도체 제조회사를 직접 설립해 중국 지방정부와 합작으로 C사를 설립했다. A씨는 중국에서 반도체 제조업체 설립을 추진하는 초기 단계부터 국내 반도체 핵심 인력들에게 접촉, 삼성전자에서 D램 메모리 수석연구원을 지낸 B씨 등을 비롯한 기술인력 상당수를 자신이 설립한 업체에 지속적으로 영입했다.

A씨는 2020년 9월쯤 20나노급 D램 반도체 제조를 목표로, 중국 지방정부는 자본을 출자하고 A씨는 인력과 기술을 제공해 각자 지분을 나누어 보유하는 합작회사 형태로 C사를 설립했다. A씨는 C사 운영을 주도하며 영입한 국내 반도체 기술자를 통해 삼성전자의 20나노급 D램 반도체 핵심공정기술이자 국가핵심기술(PRP, MTS)을 유출해 무단으로 사용했다.

이 같은 방법으로 C사는 2021년 1월쯤 반도체 D램 연구 및 제조 공장 건설에 착수해 2021년 12월에 준공, 불과 1년 3개월여 만인 2022년 4월에 시범 웨이퍼(Working Die)를 생산했다. B씨는 이러한 과정에서 삼성전자의 핵심기술을 유출해 C사로 이직한 후 공정설계의 핵심적인 역할을 수행했다.

C사는 지난 2023년 6월쯤 20나노급 D램 개발에 성공한 후 양산을 위해 수율을 높여가는 단계였으나, 본건 수사로 공장 운영은 중단된 상태다.

이번 사건은 통상 국내 엔지니어 1~2명이 중국으로 이직하는 수준의 기술유출 사안과는 달리, 국내 반도체 업체 임원 출신 A씨가 직접 중국 지방정부와 합작해 삼성전자 기술로 20나노급 반도체 생산을 시도했다는 점에서 국가경쟁력 악화를 초래하는 등 경제안보의 근간을 뒤흔든 사안으로 여겨진다.

삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조 3000억원, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달하는 등 피해기술의 경제적 가치는 약 4조 3000억원에 이르며, 경제효과 등을 감안할 때 실제 피해금액은 가늠하기 어려운 수준이다.

경찰은 지난 2023년 2월경 첩보를 입수하고 입건 전 조사에 착수, 중국 현지 출장수사 등을 통해 관련자 진술 및 기술자료를 확보해 사실관계를 확인했다.

경찰은 기술을 유출한 추가 국내 기술인력 및 이와 관련된 인력 송출 혐의에 대해서도 엄정하게 수사를 진행할 계획이다.

C사로 이직한 임원들도 추가 입건해 관련 혐의에 대해 수사를 진행하고 있으며, 국내 핵심 기술인력이 해외로 이직하는 과정에서 기술 유출을 위한 불법 인력송출이 있었는지 등에 대해서도 수사하고 있다.

경찰 관계자는 “수사 과정에서 국내 기술인력의 핵심기술에 대한 보안의식 강화 및 해외 이직 국내 기술인력의 현지처우 실태에 대한 홍보 필요성이 확인돼, 기업대상 예방교육 실시 등 협력활동을 지속적 확대할 것”이라며 “전문 수사요원들을 투입해 산업기술의 해외유출 사범에 대한 첩보수집 및 단속활동을 강도 높게 이어 나갈 방침”이라고 말했다.

이유림 (contact2@edaily.co.kr)