"개발비만 4.3조"…반도체 기술 빼돌린 삼성 전 임원·연구원 구속

중국 청두시로부터 투자받아 회사 설립…반도체 기술자 영입
경찰 "기술 유출한 국내 기술인력에 대해 추가 수사 중"

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(서울=뉴스1) 김민수 기자 = 삼성전자와 하이닉스 반도체 임원을 지낸 반도체 전문가와 전직 삼성전자 수석연구원이 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의로 구속 송치됐다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 10일 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 바 있는 최 모 씨(66)와 전직 삼성전자 수석연구원 오 모 씨(60)를 산업기술법 위반, 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속 송치했다.

이들은 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 '볼츠만'을 중국의 반도체 업체 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다. 청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최 모 씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억 원을 투자받아 세운 회사다.

최 씨는 중국에서 반도체 제조업체 설립을 추진하는 초기 단계부터 국내 반도체 핵심인력들을 접촉, 삼성전자에서 D램 메모리 수석연구원을 지낸 오 씨를 비롯한 기술인력 상당수를 자신이 설립한 업체에 지속해서 영입했다.

최 씨는 청두가오전 운영을 주도하며 영입한 국내 반도체 기술자를 통해 삼성전자의 20나노급 D램 반도체 핵심공정기술이자 국가핵심기술인 '반도체 공정 종합 절차서'(PRP)와 '최종목표규격'(MTS) 등을 유출해 무단으로 사용했다.

청두가오전은 2021년 1월쯤 반도체 D램 연구 및 제조 공장 건설에 착수해 같은 해 12월에 준공, 불과 1년 3개월 만인 2022년 4월에 '시범 웨이퍼'를 생산했다. 시범 웨이퍼는 적용한 기술이 실제 반도체로서 기능을 할 수 있는지를 측정하는 기초 개발 제품을 말한다.

오 씨는 이 과정에서 삼성전자의 핵심기술을 유출해 청두가오전으로 이직한 후 공정설계의 핵심적인 역할을 수행했다.

경찰은 이번 유출 사건과 관련, 청두가오전로 이직한 임직원들도 추가 입건해 수사를 진행 중이다. 아울러 국내 핵심 기술인력이 해외로 이직하는 과정에서 기술 유출을 위한 불법 인력송출이 있었는지 등도 들여다보고 있다.

경찰 관계자는 "삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조3000억 원이며, 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조 원에 달하는 등 피해기술의 경제적 가치는 4조3000억 원으로 추산된다"며 "경제 효과 등을 감안하면 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준"이라고 설명했다.

그러면서 "기술을 유출한 추가 국내 기술인력 및 이와 관련된 인력 송출 혐의에 대해서도 엄정 수사할 것"이라고 강조했다.

kxmxs4104@news1.kr