SK하이닉스 10나노급 6세대 D램 세계최초 개발…이번엔 삼성 앞섰다

【 앵커멘트 】 SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝혔습니다. 5세대 급 양산은 삼성전자가 불과 열흘 빨랐는데, 이번엔 SK하이닉스가 앞서면서 두 회사의 각축전이 더 치열해질 전망입니다. 박통일 기자입니다.

【 기자 】 SK하이닉스는 6세대 기술이 적용된 16기가비트 D램을 개발하는 데 성공했다고 밝혔습니다.

현존하는 D램 가운데 가장 미세화된 10나노대급 기술입니다.

10나노 5세대 D램 양산 소식은 지난해 5월 삼성전자가 SK하이닉스보다 앞서 발표했습니다.

반면, 6세대 개발은 SK하이닉스가 선수치면서 초미세공정 기술을 둘러싼 경쟁이 가열되는 모습입니다.

SK하이닉스의 6세대 D램은 이전 세대 대비 11% 빨라지고, 전력효율은 9% 이상 개선됐습니다.

SK하이닉스 측은 해당 기술을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

극자외선, EUV 공정 방식과 설계 기술 혁신을 통해 원가 경쟁력까지 확보했다는 평가입니다.

▶ 인터뷰 : 이종환 / 상명대학교 시스템반도체학과 교수 - "초미세패턴 공정을 적용하는 것이 가장 핵심적인 기술이거든요. 그걸 선제적으로 적용해서 소비전력과 성능을 전체적으로 개선하기 위한 단계별 순서라는 거죠．"

D램 초미세 공정을 추진 중인 삼성전자와 마이크론도 6세대 기술 개발이 임박한 것으로 알려졌습니다.

SK하이닉스는 6세대 기술을 향후 차세대 고대역폭 메모리 등에도 적용한다는 계획입니다.

MBN뉴스 박통일입니다.

영상편집 : 송현주