“세계에서 가장 빨랐다”...SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 개발 성공

속도·전력효율 개선, 내년 공급
HBM등 AI반도체 개발에 적용

[사진 = 연합뉴스]

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노(nm·10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정기술을 적용해 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. 동작 속도는 8Gbps(초당 기가비트)로 이전 세대보다 11% 빨라졌고, 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 설계기술 혁신을 통해 생산성도 30%이상 향상됐다.

지난해 2분기 10나노급 5세대(1b) D램 양산에 나선 지 1년 여만에 경쟁사들을 제치고 기술력으로 한 단계 더 도약했다.

SK하이닉스는 극자외선(EUV)을 활용해 D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c 공정기술 개발에 성공했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고, 내년부터 제품을 고객사에게 본격 공급할 계획이다. 초고속·고용량·저전력의 최신 D램 규격인 DDR5는 인공지능(AI) 수요급증과 맞물려 데이터센터 등에 쓰인다.

SK하이닉스는 글로벌 고객사들이 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스의 10나노급 6세대 D램 공정기술은 AI 반도체에 필수적인 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발 속도까지 끌어올릴 것으로 기대된다. SK하이닉스는 2026년 개발이 예상되는 7세대 HBM4E 등에 1c 기술을 적용한다는 방침이다.