SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 첫 개발

데이터센터 전력비용 30% 감소
1c DDR5 내년부터 본격 공급

SK하이닉스 1c DDR5 D램 SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 세계 최초로 10나노미터(1nm=10억분의1m)급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"면서 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 전했다.

D램은 회로간 선폭 미세화에 따라 세대를 나누는데, 통상 1a→1b→1c로 칭한다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다.

SK하이닉스 개발진은 이 방식을 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 동시에 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮길 수 있다고 SK하이닉스의 기술진은 판단했다.

또 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 초당 8Gb로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스 측은 "AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것"이라고 봤다.

SK하이닉스 김종환 D램 개발담당(부사장)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 고대역폭메모리(HBM), 저전력더블데이터레이트(LPDDR)6, 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

mkchang@fnnews.com 장민권 기자