세계 첫 10나노급 6세대 D램 SK하이닉스, 내년 본격 양산

경쟁사보다 먼저…속도 11%↑

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ)급 6세대(1c) 공정 기술을 적용해 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. 동작 속도는 8Gbps(초당 기가비트)로 이전 세대보다 11% 빨라졌고, 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 설계 기술 혁신을 통해 생산성도 30% 이상 향상됐다.

지난해 2분기 10나노급 5세대(1b) D램 양산에 나선 지 1년여 만에 경쟁사들을 제치고 기술력으로 한 단계 더 도약했다.

SK하이닉스는 극자외선(EUV)을 활용해 D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c 공정 기술 개발에 성공했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5 양산 준비를 마치고, 내년부터 제품을 고객사에 본격 공급할 계획이다. 초고속·고용량의 최신 D램 규격인 DDR5는 인공지능(AI) 수요 급증과 맞물려 데이터센터 등에 쓰인다.

[강계만 기자]