SK하이닉스, ‘10나노급 6세대 D램’ 세계 첫 개발

속도 11%· 전력효율 9% 향상

SK하이닉스가 현존하는 D램 중 가장 미세화된 ‘10나노(㎚·1나노는 10억 분의 1m)급 6세대(1c)’ 기술을 세계 최초로 개발했다고 29일 밝혔다. 메모리 선폭을 의미하는 나노 수치가 작아질수록 처리 속도는 빨라지고, 소비전력은 줄어든다. 11∼12나노인 6세대는 기존 12∼13나노인 5세대 메모리보다 속도는 11% 빠르고, 전력효율은 9% 이상 개선된다. 5세대 기술은 지난해 5월 삼성전자가 SK하이닉스보다 열흘 먼저 양산에 성공한 바 있어, 차세대 D램을 두고 K-메모리 경쟁이 극한 경쟁으로 이어질 전망이다.

이날 SK하이닉스는 6세대 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공, 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 계획이라고 밝혔다. DDR5는 저전력·고성능의 특징을 갖춘 D램 최신 규격으로 고성능 데이터센터 등에 쓰인다. SK하이닉스에 따르면 6세대 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌으며 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

SK하이닉스는 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 6세대 D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다. SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 6세대 기술을 적용한다는 계획이다.

삼성전자와 마이크론도 D램 초미세 공정을 추진, 6세대 1c 기술 개발이 임박한 것으로 알려져 있다.

이용권·김성훈 기자