SK하이닉스, 세계 최초 ‘11나노 수준’ 디램 개발

10㎚급 6세대 1c 미세공정 적용

SK하이닉스 제공

에스케이(SK)하이닉스가 세계 최초로 회로 선폭이 11나노미터(㎚) 수준인 메모리 반도체를 개발했다. 올해 안에 양산에 돌입할 계획이다.

29일 에스케이하이닉스 발표를 보면, 회사는 최근 10㎚급 6세대 1c 미세공정을 적용한 디램을 개발했다. 10㎚대 반도체는 구체적인 회로 선폭에 따라 x~z와 a~c 등의 세대로 나뉘는데, 여섯번째 세대인 c까지 온 것이다. c는 11㎚ 수준으로 알려져 있다. 세대가 바뀌면서 회로 선폭이 줄어들면 반도체 성능도 개선된다.

하이닉스가 이번에 새 공정을 적용해 개발한 제품은 16기가비트(Gb) 5세대 디램(DDR5)이다. 주로 컴퓨터와 서버 등에 활용되는 5세대 디램은 통상 최신 공정이 가장 먼저 적용되는 제품이다. 회사는 11㎚급 5세대 디램을 올해 안에 양산해 내년부터 공급할 예정이다. 순차적으로 저전력 디램(LPDDR)과 그래픽 디램(GDDR) 등 다른 제품에도 새 공정을 적용해나간다는 계획이다.

이로써 하이닉스는 경쟁사를 모두 앞질렀다는 평가를 받게 됐다. 지난해 5월 12㎚급 양산을 업계에서 처음으로 시작했다고 밝혔던 삼성전자는 그 뒤로 알려진 진척 상황이 없다. 지난해 10월 ‘삼성 메모리 테크데이’ 행사에서 “차세대 11㎚급 디램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중”이라고 밝힌 게 전부다. 미국 마이크론 테크놀로지도 11㎚에 아직 진입하지 못한 것으로 알려져 있다.

이재연 기자 jay@hani.co.kr