SK하이닉스, 10나노 6세대 D램 세계 최초 개발…"초미세공정 한계 돌파"

10나노 6세대 미세공정 16Gb DDR5 개발…속도·전력효율 개선
내년부터 제품 공급 시작…차세대 HBM에도 6세대 공정 적용

세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 SK하이닉스의 16Gb DDR5 D램.(SK하이닉스 제공) ⓒ News1 한재준 기자

(서울=뉴스1) 한재준 기자 = SK하이닉스(000660)는 세계 최초로 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스는 5세대(1b) D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 6세대를 개발, 10나노미터(nm·10억분의 1m) 초반의 극미세화 메모리 공정 기술을 구현했다.

이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 한편, 업계 최고 성능으로 인정받는 SK하이닉스의 5세대 강점을 효율적으로 이식했다.

SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌지만 업계 최고 성능이 입증된 5세대 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파했다"고 설명했다.

SK하이닉스는 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발, 적용하고 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력도 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 전 세대 대비 생산성은 30% 이상 개선됐다.

고성능 데이터센터에 활용되는 6세대 DDR5는 초당 8기가비트(8Gbps)의 동작속도를 지원해 전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력 효율은 9% 이상 개선돼 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객이 SK하이닉스의 6세대 D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 연내 6세대 DDR5 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급한다는 계획이다. 김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 "최고 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족한 6세대 기술을 차세대 고대역폭메모리(HBM), 저전력DDR6(LPDDR6), GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용해 고객에게 차별화한 가치를 제공할 것"이라고 말했다.

hanantway@news1.kr