SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 `1c DDR5` 개발

박순원 2024. 8. 29. 09:41
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SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"며 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 설명했다.

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SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램. <SK하이닉스 제공>

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 반도체업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다.

SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"며 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 설명했다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다고 소개했다. 이를 바탕으로 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고, 회사의 1b 플랫폼이 보유한 효율적으로 옮겨올 수 있었다고 전했다.

또 극자외선노광장치(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, EUV 적용 공정을 최적화 해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps로 이전 세대보다 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

회사측은 AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 이 신제품을 적용하면 클라우드 서비스의 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대했다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.

박순원기자 ssun@dt.co.kr

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